INTRODUCCIÓN AL TRANSISTOR

INTRODUCCIÓN AL TRANSISTOR BJT

 

Como ya se ha visto, el diodo es un dispositivo de una unión PN y este conduce en un solo sentido. El dispositivo que se estudiará en este capítulo es el transistor, el cual está formado de dos uniones PN de las dos siguientes maneras posibles:

• Una capa de semiconductor tipo N entre dos capas tipo P en forma de emparedado dando como resultado el transistor PNP.
• Una capa de semiconductor tipo P entre dos capas de semiconductor tipo N en forma de emparedado, originando el transistor NPN.

Por lo tanto, El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones PN. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En la figura 4-1 (a) y (b) se muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT.  El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.

La unión PN que forma  la región entre la base y el emisor se llama unión base-emisor. La unión PN que forma la región entre la base y el colector se le llama unión base-colector. Cada región tiene un conductor conectado. Estos conductores se designan por las letras E, B y C que representan el emisor, la base y el colector, respectivamente. La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y  la del colector, moderadamente dopada.

 

El transistor fue inventado en 1948 por Shockley, Bardeen y Brattain, de los laboratorios Bell, y desde entonces ha revolucionado por completo el campo de la electrónica y muchos campos afines.